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尔必达25nm制程4Gbit内存颗粒开发完成

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摘要:尔必达25nm制程4Gbit内存颗粒开发完成
8月初,尔必达曾宣布采用25nm工艺制造的2Gbit内存颗粒正式开始出货。今日该公司正式发表公告称,采用25nm新工艺制造的4Gbit DDR3 SDRAM颗粒研发完成,芯片面积在同类产品(4Gbit DRAM颗粒)中属世界最小。

新的内存颗粒型号为EDJ4104BCBG/EDJ4108BCBG,位宽分别为4bit/8bit,尔必达称相比自家之前的30nm制程4Gbit DDR3内存颗粒,1枚晶圆可切割出的芯片数量增加了45%,极大降低了生产成本。同时运行、待机时的电流值分别降低了25-30%和30-50%,最高传输速度可达1866Mbps以上(即此颗粒制成的内存频率最高1866MHz),默认电压为1.5V,同时有低电压1.35V的版本。

尔必达表示新的内存颗粒将在今年12月份开始试产,预计也将在同月开始量产并批量出货。
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